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FDMS3660S-F121

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: FDMS3660S-F121
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie PowerTrench®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.7V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores Power56
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 29nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1765pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 13A, 30A

En stock 77 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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