La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SQ9945BEY-T1_GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SQ9945BEY-T1_GE3
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 4W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 64mOhm @ 3.4A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 12nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 470pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.4A

En stock 1479 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

NTMD3P03R2G
ON Semiconductor
$0
QS8J1TR
ROHM Semiconductor
$0
CTLDM304P-M832DS TR
Central Semiconductor Corp
$0
SQJ968EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0.98
SQJ200EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0