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SQJ200EP-T1_GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SQJ200EP-T1_GE3
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 27W, 48W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8.8mOhm @ 16A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 975pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20A, 60A

En stock 2027 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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