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SIZF906DT-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | SIZF906DT-T1-GE3 |
| Descripción: | MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Característica FET | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 38W (Tc), 83W (Tc) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerWDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.2V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-PowerPair® (6x5) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 60A (Tc) |
En stock 3473 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.64 | $1.61 | $1.58 |
Mínimo: 1
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