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SIZF906DT-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica:	SIZF906DT-T1-GE3
Descripción:	MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie	TrenchFET® Gen IV
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Característica FET	Standard
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	38W (Tc), 83W (Tc)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) - Id	2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TA)
Rds On (Max) - Id, Vgs	3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores	8-PowerPair® (6x5)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	60A (Tc)