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FDMQ8203

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: FDMQ8203
Descripción: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie GreenBridge™ PowerTrench®
Tipo FET 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 2.5W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 12-WDFN Exposed Pad
Número de pieza base FDMQ8203
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 110mOhm @ 3A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 12-MLP (5x4.5)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V, 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 210pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.4A, 2.6A

En stock 4786 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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