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SIZ350DT-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SIZ350DT-T1-GE3
Descripción: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET® Gen IV
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6.75mOhm @ 15A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-Power33 (3x3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 20.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 940pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 18.5A (Ta), 30A (Tc)

En stock 93 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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