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SIZ200DT-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica:	SIZ200DT-T1-GE3
Descripción:	MOSFET N-CH DUAL 30V
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie	TrenchFET® Gen IV
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Empaquetado	Digi-Reel®
Característica FET	Standard
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	4.3W (Ta), 33W (Tc)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) - Id	2.4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores	8-PowerPair® (3.3x3.3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)