La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SISH402DN-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SISH402DN-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6mOhm @ 19A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® 1212-8SH
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 42nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1700pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 19A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 50 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.93 $0.91 $0.89
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

NVMYS011N04CTWG
ON Semiconductor
$0.38
STL35N75LF3
STMicroelectronics
$0.38
NVMYS021N06CLTWG
ON Semiconductor
$0.38
SISH129DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
NVMYS025N06CLTWG
ON Semiconductor
$0.37