NVMYS025N06CLTWG
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | NVMYS025N06CLTWG |
Descripción: | FET NCH 60V 20A |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Tipo FET | N-Channel |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SOT-1023, 4-LFPAK |
Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 13µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 27.5mOhm @ 7.5A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 3.8W (Ta), 24W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 4-LFPAK |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 5.8nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 330pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 8.5A (Ta), 21A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 95 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.37 | $0.36 | $0.36 |
Mínimo: 1