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SISH110DN-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SISH110DN-T1-GE3 |
| Descripción: | MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8SH |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® Gen II |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | PowerPAK® 1212-8SH |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 5.3mOhm @ 21.1A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 1.5W (Ta) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® 1212-8SH |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 21nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 13.5A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 6050 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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