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RD3H200SNFRATL

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	RD3H200SNFRATL
Descripción:	RD3H200SNFRA IS THE HIGH RELIABI
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id	2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	28mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.)	20W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-252
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	12nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	45V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	950pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	20A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V