SIS184DN-T1-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SIS184DN-T1-GE3 |
Descripción: | MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212- |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | PowerPAK® 1212-8S |
Vgs(th) (Max) - Id | 3.4V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 5.8mOhm @ 10A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® 1212-8S |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 32nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1490pF @ 30V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 17.4A (Ta), 65.3A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
En stock 5995 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1