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SIR664DP-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SIR664DP-T1-GE3 |
| Descripción: | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 250µA |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 6mOhm @ 20A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® SO-8 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 40nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1750pF @ 30V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 60A (Tc) |
En stock 3000 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.46 | $0.45 | $0.44 |
Mínimo: 1
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