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FDD6N50TM-WS

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDD6N50TM-WS
Descripción: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie UniFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de pieza base FDD6N50
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 900mOhm @ 3A, 10V
Disipación de energía (máx.) 89W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D-Pak
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 16.6nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 500V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 9400pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 5000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.47 $0.46 $0.45
Mínimo: 1

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