La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
SIHU4N80AE-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SIHU4N80AE-GE3 |
| Descripción: | MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | E |
| Tipo FET | N-Channel |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.27Ohm @ 2A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 69W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | IPAK (TO-251) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 32nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 800V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 622pF @ 100V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4.3A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 58 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.54 | $1.51 | $1.48 |
Mínimo: 1
Solicitar presupuesto
Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible
Bargain Finds
