La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
R6509ENJTL
| Fabricantes: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | R6509ENJTL |
| Descripción: | NCH 650V 9A POWER MOSFET. R6509 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ROHM Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 230µA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 585mOhm @ 2.8A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 94W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | LPTS |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 24nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 430pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 9A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 81 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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