La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SIHP22N60EL-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIHP22N60EL-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 197mOhm @ 11A, 10V
Disipación de energía (máx.) 227W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 74nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1690pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 79 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.09 $2.05 $2.01
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPP80N08S207AKSA1
Infineon Technologies
$2.06
NTMFS4H02NT1G
ON Semiconductor
$2.06
FDB029N06
ON Semiconductor
$0
IXTP8N70X2M
IXYS
$2.05
AUIRF1405ZS-7TRL
Infineon Technologies
$2.05