La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FDB029N06

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDB029N06
Descripción: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.1mOhm @ 75A, 10V
Disipación de energía (máx.) 231W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D²PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 151nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 9815pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 73 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IXTP8N70X2M
IXYS
$2.05
AUIRF1405ZS-7TRL
Infineon Technologies
$2.05
2SK3711
Sanken
$2.05
NTMFS5H400NLT3G
ON Semiconductor
$2.05
AUIRFS3306TRL
Infineon Technologies
$2.05