SIHB12N60ET1-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SIHB12N60ET1-GE3 |
Descripción: | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | E |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Bulk |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 380mOhm @ 6A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 147W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-263 (D²Pak) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 58nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 600V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 937pF @ 100V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 12A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 800 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.98 | $1.94 | $1.90 |
Mínimo: 1