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FCP190N65S3

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FCP190N65S3
Descripción: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SuperFET® III
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 1.7mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 190mOhm @ 8.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 144W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 33nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1350pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 790 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.36 $2.31 $2.27
Mínimo: 1

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