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SIA975DJ-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica:	SIA975DJ-T1-GE3
Descripción:	MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie	TrenchFET®
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Empaquetado	Digi-Reel®
Característica FET	Logic Level Gate
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	7.8W
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número de pieza base	SIA975
Vgs(th) (Max) - Id	1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	26nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1500pF @ 6V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	4.5A