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FDC6506P

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: FDC6506P
Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie PowerTrench®
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 700mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 170mOhm @ 1.8A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores SuperSOT™-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 3.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 190pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.8A

En stock 14165 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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