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SIA429DJT-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SIA429DJT-T1-GE3
Descripción:	MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchFET®
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) - Id	1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PowerPAK® SC-70-6 Single
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	62nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1750pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V