Image is for reference only , details as Specifications

DMN1032UCB4-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMN1032UCB4-7
Descripción: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 4-UFBGA, WLBGA
Vgs(th) (Max) - Id 1.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 26mOhm @ 1A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 900mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores U-WLB1010-4
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 4.5nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 450pF @ 6V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

En stock 8591 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
$0
RTR020P02TL
ROHM Semiconductor
$0
FDG327N
ON Semiconductor
$0
NTMFS4927NT1G
ON Semiconductor
$0
XR46000ESETR
MaxLinear, Inc.
$0