La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SIA400EDJ-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIA400EDJ-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 19mOhm @ 11A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 19.2W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® SC-70-6 Single
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 36nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1265pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

En stock 1503 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

DMP3098LDM-7
Diodes Incorporated
$0
DMT3006LPS-13
Diodes Incorporated
$0
FQD5P10TM
ON Semiconductor
$0
SI8851EDB-T2-E1
Vishay / Siliconix
$0
RQ3E180GNTB
ROHM Semiconductor
$0