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SI8851EDB-T2-E1

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI8851EDB-T2-E1
Descripción: MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 30-XFBGA
Número de pieza base SI8851
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8mOhm @ 7A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 660mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores Power Micro Foot® (2.4x2)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 180nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6900pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

En stock 2467 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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