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SI8900EDB-T2-E1

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SI8900EDB-T2-E1
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 10-UFBGA, CSPBGA
Número de pieza base SI8900
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 1.1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs -
Paquete de dispositivos de proveedores 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs -
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.4A

En stock 73 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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