SI7962DP-T1-E3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | SI7962DP-T1-E3 |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Característica FET | Standard |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 1.4W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Número de pieza base | SI7962 |
Vgs(th) (Max) - Id | 4.5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 17mOhm @ 11.1A, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® SO-8 Dual |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 70nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 40V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | - |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 7.1A |
En stock 69 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$1.72 | $1.69 | $1.65 |
Mínimo: 1