Image is for reference only , details as Specifications

SI7611DN-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI7611DN-T1-GE3
Descripción: MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 25mOhm @ 9.3A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® 1212-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 62nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1980pF @ 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 22844 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FDS6681Z
ON Semiconductor
$0
FDMC6686P
ON Semiconductor
$0
STD4N90K5
STMicroelectronics
$0
SIR800DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
BSC010NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
$0