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BSC010NE2LSIATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	BSC010NE2LSIATMA1
Descripción:	MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	OptiMOS™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id	2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-
Rds On (Max) - Id, Vgs	1.05mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 96W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-TDSON-8-7
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	59nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	4200pF @ 12V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	38A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V