SI7456DP-T1-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SI7456DP-T1-GE3 |
Descripción: | MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | PowerPAK® SO-8 |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 25mOhm @ 9.3A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 1.9W (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® SO-8 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 44nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 5.7A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
En stock 3505 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1