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BSZ16DN25NS3GATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSZ16DN25NS3GATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 32µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 165mOhm @ 5.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 62.5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TSDSON-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 11.4nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 250V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 920pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 10.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 8840 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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