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SI6924AEDQ-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SI6924AEDQ-T1-GE3
Descripción: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Empaquetado Cut Tape (CT)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Número de pieza base SI6924
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 33mOhm @ 4.6A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-TSSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 28V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.1A

En stock 50 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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