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SIA950DJ-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SIA950DJ-T1-GE3
Descripción: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie LITTLE FOOT®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Cut Tape (CT)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 7W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número de pieza base SIA950
Vgs(th) (Max) - Id 1.4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® SC-70-6 Dual
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 4.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 190V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 90pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 950mA

En stock 98 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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