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SI5902DC-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SI5902DC-T1-E3
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 1.1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SMD, Flat Lead
Número de pieza base SI5902
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA (Min)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 85mOhm @ 2.9A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 1206-8 ChipFET™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 7.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.9A

En stock 97 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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