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SI5517DU-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SI5517DU-T1-E3
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET N and P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 8.3W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® ChipFET™ Dual
Número de pieza base SI5517
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® ChipFet Dual
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 16nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 520pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6A

En stock 60 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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