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SI3429EDV-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SI3429EDV-T1-GE3
Descripción:	MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchFET®
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id	1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	21mOhm @ 4A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	4.2W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	6-TSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	118nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	4085pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	8A (Ta), 8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V