La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
SSM6H19NU,LF
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SSM6H19NU,LF |
| Descripción: | MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSVII-H |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (máx.) | ±12V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 6-UDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1.2V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 185mOhm @ 1A, 8V |
| Disipación de energía (máx.) | 1W (Ta) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 6-UDFN (2x2) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 2.2nC @ 4.2V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 40V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 130pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
En stock 80 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.10 | $0.10 | $0.10 |
Mínimo: 1
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