Image is for reference only , details as Specifications

SI1988DH-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SI1988DH-T1-GE3
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 1.25W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número de pieza base SI1988
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 168mOhm @ 1.4A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores SC-70-6 (SOT-363)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 4.1nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 110pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.3A

En stock 92 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SI4650DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI4622DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI4953ADY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI4947ADY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI6924AEDQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0