La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SI1050X-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI1050X-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±5V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) - Id 900mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 236mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SC-89-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 11.6nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 585pF @ 4V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.34A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

En stock 20173 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FDC645N
ON Semiconductor
$0
FDG316P
ON Semiconductor
$0
SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SIA459EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
IRF5801TRPBF
Infineon Technologies
$0