La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IRF5801TRPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF5801TRPBF
Descripción: MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id 5.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 2W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores Micro6™(TSOP-6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 3.9nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 88pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 600mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 4268 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SI2333CDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
DMN4020LFDE-7
Diodes Incorporated
$0
TSM2323CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
SI4403DDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SIA440DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0