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SI1029X-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SI1029X-T1-E3
Descripción: MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET N and P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 250mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Número de pieza base SI1029
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores SC-89-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 0.75nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 30pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 305mA, 190mA

En stock 74 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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