SI1029X-T1-E3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | SI1029X-T1-E3 |
Descripción: | MOSFET N/P-CH 60V SOT563F |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | N and P-Channel |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Obsolete |
Potencia - Máx. | 250mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SOT-563, SOT-666 |
Número de pieza base | SI1029 |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.4Ohm @ 500mA, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | SC-89-6 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 30pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 305mA, 190mA |
En stock 74 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1