SI1025X-T1-E3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | SI1025X-T1-E3 |
Descripción: | MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Obsolete |
Potencia - Máx. | 250mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SOT-563, SOT-666 |
Número de pieza base | SI1025 |
Vgs(th) (Max) - Id | 3V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 4Ohm @ 500mA, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | SC-89-6 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 1.7nC @ 15V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 23pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 190mA |
En stock 62 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1