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SI1025X-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SI1025X-T1-E3
Descripción: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 250mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Número de pieza base SI1025
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4Ohm @ 500mA, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores SC-89-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 1.7nC @ 15V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 23pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 190mA

En stock 62 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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