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IRFD214

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFD214
Descripción: MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2Ohm @ 270mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 1W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 8.2nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 250V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 140pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 450mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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