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FDMS86101E

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDMS86101E
Descripción: FET 100V 8.0 MOHM PQFN56
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PQFN (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 55nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3000pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 97 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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