FDMS86101E
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | FDMS86101E |
Descripción: | FET 100V 8.0 MOHM PQFN56 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | PowerTrench® |
Tipo FET | N-Channel |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 8mOhm @ 13A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-PQFN (5x6) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 55nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 3000pF @ 50V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 12.4A (Ta), 60A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
En stock 97 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.27 | $1.24 | $1.22 |
Mínimo: 1