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TPW1R306PL,L1Q

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TPW1R306PL,L1Q
Descripción:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSIX-H
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id	2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	175°C
Rds On (Max) - Id, Vgs	1.29mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	8-DSOP Advance
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	91nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	8100pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	260A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V