La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

CSD19531Q5AT

Fabricantes: NA
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: CSD19531Q5AT
Descripción: MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NA
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie NexFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Número de pieza base CSD19531
Vgs(th) (Max) - Id 3.3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6.4mOhm @ 16A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-VSONP (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 48nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3870pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 100A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 25183 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPB042N10N3GATMA1
Infineon Technologies
$0
BSC026N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
$0
SIR826DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SQD50P06-15L_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SQJ469EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0