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TPH1R712MD,L1Q

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPH1R712MD,L1Q
Descripción: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVI
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 1.2V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 78W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOP Advance (5x5)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 182nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 10900pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

En stock 2887 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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