Image is for reference only , details as Specifications

SIR416DP-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIR416DP-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.8mOhm @ 15A, 10V
Disipación de energía (máx.) 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® SO-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 90nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3350pF @ 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 2985 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.33 $1.30 $1.28
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

BUK662R7-55C,118
Nexperia USA Inc.
$0
BUK762R0-40C,118
Nexperia USA Inc.
$0
BUK764R0-75C,118
Nexperia USA Inc.
$0
FDD5680
ON Semiconductor
$0
PH2925U,115
Nexperia USA Inc.
$0