TPC8213-H(TE12LQ,M
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | TPC8213-H(TE12LQ,M |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Obsolete |
Potencia - Máx. | 450mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.3V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 50mOhm @ 2.5A, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SOP (5.5x6.0) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 11nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 625pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 5A |
En stock 57 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1