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TPC8213-H(TE12LQ,M

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: TPC8213-H(TE12LQ,M
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 450mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 2.3V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 50mOhm @ 2.5A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOP (5.5x6.0)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 11nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 625pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5A

En stock 57 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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